KVL / Klausuren / MAP 1.HS: 09.04  2.HS: 21.05  Zw.Sem.: 16.07  Beginn WS: 13.10

4020120032 Grundlagen und Methoden der modernen Kristallzüchtung  VVZ 

VL
Do 11-13
wöch. NEW 15 2'102 (24) Roberto Fornari
Lern- und Qualifikationsziele
Im Laufe des Semesters wird ein Überblick über die Physik der Kristallzüchtung gegeben werden. Dabei konzentriert sich die Vorlesung vor allem auf den Kristallisation und eine Einführung in die verschiedenen Züchtungsmethoden.
Zusätzlich wird durch die Teilnahme an Züchtungsversuchen im IKZ auch ein Einblick in den Forschungsalltag gegeben werden.
Voraussetzungen
Grundlagen in Festkörperphysik, Thermodynamik und Statistischer Physik werden benötigt um im Stoffgebiet voranzukommen.
Gliederung / Themen / Inhalte
Einführung in die Kristallzüchtung
Anwendungen kristalliner Materialien
Thermodynamische Vorgänge
Theorie der Keimbildung
Atomistische Modelle und morphologische Stabilität;
Grenzflächenkinetik
Hydrodynamische Konzepte mit Relevanz für den Wachstumsprozess
Züchtungsmethoden für Einkristalle (Lösung, Schmelze, Gasphase)
Epitaxie und Nanostrukturen
Zugeordnete Module
P23.2 Fak MPh
Umfang, Studienpunkte; Modulabschlussprüfung / Leistungsnachweis
3 SWS, 5 SP/ECTS (Arbeitsanteil im Modul für diese Lehrveranstaltung, nicht verbindlich)
regelmäßige Teilnahme an den Vorlesungen;
Teilnahme an den Züchtungsexperimenten im Leibniz-Institut für Kristallzüchtung
Sonstiges
Die Termine für die Versuche im IKZ werden in den ersten Vorlesungen angekündigt.
Literatur
K.-Th. Wilke, J. Bohm . Kristallzüchtung. Verlag Harri Deutsch
I.V. Markov. Crystal Growth for Beginners. World Scientific
H. Scheel, T. Fukuda. Crystal Growth Technology. Wiley
Siehe auch:
http://www.ikz-berlin.de/hu/seminar.php
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